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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的超級電容器芯片制作方法，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答電容的制作方法簡介。

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超級電容器芯片的制作方法簡介③

芯片電容

開發(fā)長循環(huán)壽命、高比能量和高功率密度的儲能器件一直是諸多領(lǐng)域研究者關(guān)注的熱點(diǎn)課題之一。隨著社會科技的發(fā)展，如電動汽車等許多領(lǐng)域?qū)﹄娫垂β实囊蟠蟠筇?/span>高，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了電池的承受能力。傳統(tǒng)的電容器雖然功率非常大，但其能量密度有限，也不能滿足實(shí)際需要。超級電容器，也叫電化學(xué)電容器，其性能介于傳統(tǒng)電容器和電池之間，兼有電池高比能量和傳統(tǒng)電容器高比功率的特點(diǎn)。超級電容器在混合動力汽車，大功率雷達(dá)，移動電話信息備份電源，筆記本電腦和無電池遙控器等方面有著重要應(yīng)用。隨著微型化、柔性化電子器件的發(fā)展，市場對與之匹配的微型儲能器件的需求也越來越大，超級電容器的小型化顯著減少了占據(jù)面積，因此更多的功能性器件有機(jī)會與Microsoft群集服務(wù)(MSCs) 集成到微電子技術(shù)中。這種在有限空間/占地面積內(nèi)的多功能集成可以極大地促進(jìn)微電子器件的發(fā)展，提高工作效率和可靠性，減少維護(hù)/能源成本。然而，單個微型儲能器件的輸出電壓和電流有限，難以滿足需要高電壓、大電流驅(qū)動的應(yīng)用需求。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電3300pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-50-25V-332
容值/容差：3300pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電330pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-25-50V-331
容值/容差：330pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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