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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的超級(jí)電容器芯片制作方法，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答電容的制作方法簡(jiǎn)介。

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超級(jí)電容器芯片的制作方法簡(jiǎn)介①

本發(fā)明提供一種超級(jí)器芯片的制備方法、超級(jí)電容器芯片及超級(jí)電容器，其提供一具有導(dǎo)電線路的襯底；在所述襯底上形成兩個(gè)獨(dú)立設(shè)置的集流體，每個(gè)所述集流體電連接至襯底的導(dǎo)電線路之上；在其中一所述集流體上制備正電極，在另一所述集流體上制備負(fù)電極，并在正電極與負(fù)電極之間形成固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)膜，得到多層膜； 將所述多層膜用封裝膜進(jìn)行封裝保護(hù)，得到超級(jí)電容器芯片。利用上述方法制備得出的超級(jí)電容器芯片集成超級(jí)電容器后能夠滿足大電流或大電壓的使用需求。1 .一種超級(jí)電容器芯片的制備方法，其特征在于：其包括以下步驟：步驟S1，提供一具有導(dǎo)電線路的襯底；步驟S2，在所述襯底上形成兩個(gè)獨(dú)立設(shè)置的集流體，每個(gè)所述集流體電連接至襯底的導(dǎo)電線路之上；及步驟S3，在其中一所述集流體上制備正電極，在另一所述集流體上制備負(fù)電極，并在正電極與負(fù)電極之間形成固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)膜，得到多層膜；步驟S4，將所述多層膜用封裝膜進(jìn)行封裝保護(hù)，得到超級(jí)電容器芯片。2.如權(quán)利要求1中所述的超級(jí)電容器芯片的制備方法，其特征在于：步驟S1中所述襯底的材料包括絕緣材料，具體包括布料、海綿、紙基材料、PET、PI、mSiO 2 · nH2 O、聚氨酯中的任一種，所述襯底在使用前可進(jìn)行清洗處理。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電  100pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C12-15-50V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

型號(hào)：C12-15-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

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