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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容的原理及指標(biāo)，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容的原理及指標(biāo)

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# 射頻易商城 RFeasy.cn 芯片電容庫(kù)存詳情

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集成芯片內(nèi)電容的基本資料詳解①

集成芯片內(nèi)電容 現(xiàn)代微處理器、 數(shù)字信號(hào)處理器和專用集成電路等技術(shù)的飛速發(fā)展， 已成為電磁干擾的主要來(lái)源。 如今的主要輻射源不再是由不合理的步線、 板結(jié)構(gòu)、 阻抗失配或電源不穩(wěn)定原因所產(chǎn)生。 器件的工作頻率已從 20～50 MHz 發(fā)展到了 200～5000MHz， 甚至更高。 隨著時(shí)鐘頻率的提升， 每個(gè) VLSI 器件存在切換電流， 切 換電流的傅里葉頻譜產(chǎn)生 RF能量， 使得數(shù)字器件必然會(huì)存在輻射。現(xiàn)代集成電路工藝的發(fā)展使得上百萬(wàn)的晶體管被集成到一塊小硅片上， 生產(chǎn)工藝達(dá)到了 0. 18 μ m 線寬。 雖然硅片尺寸不斷收縮， 但元件數(shù)量增加了， 使得產(chǎn)品的批量生產(chǎn)、 降低制造成本成為可能。 同時(shí)，線寬越小， 兩個(gè)邏輯門元件之間的傳輸延時(shí)就越短。 但邊沿速率加快， 輻射能力也就隨之增強(qiáng)， 狀態(tài)切換效應(yīng)在集成芯片內(nèi)部之間感應(yīng)的作用下， 加大了能量損耗。硅片需要從電源分配網(wǎng)絡(luò)中獲得電流， 只有當(dāng)電流達(dá)到一定數(shù)值時(shí)才能驅(qū)動(dòng)傳輸線。 邊沿速率越快，就需要提供達(dá)到更率的直流電流。 切換開關(guān)在電源分配網(wǎng)絡(luò)中的來(lái)回轉(zhuǎn)換， 會(huì)在電源板和接地板之間引起差模電流的不平衡。 隨著共模、 差模電流的失調(diào)， 在 EMI 測(cè)試中， 會(huì)發(fā)現(xiàn)共模電流在電纜組裝連接處或 PCB 元件中產(chǎn)生輻射。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電10000pF, ≥1G@25V, 雙面不留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C11-90-25V-103
容值/容差：10000pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電1000pF, ≥1G@50V, 雙面不留邊 單層芯片電容

型號(hào)：C11-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。

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