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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容的檢測(cè)，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容的檢測(cè)

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用于微小電容檢測(cè)的測(cè)頻專用芯片

在理想情況下， 當(dāng)兩個(gè)信號(hào)． 廠Ｄ和． 丘的相位完全重合時(shí)， 同步脈沖產(chǎn)生器才會(huì)產(chǎn)生一個(gè)同步脈沖， 這種重合的幾率是相當(dāng)小的。 實(shí)際上， 同步脈沖產(chǎn)生器有一定的檢測(cè)分辨率， 用６表示。 當(dāng)兩個(gè)信號(hào)的相位差小于６時(shí)， 同步脈沖產(chǎn)生器就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)同步脈沖， 這樣就會(huì)給測(cè)頻帶來一定的誤差。 通過分析可知， 實(shí)際閘門信號(hào)開啟和關(guān)閉時(shí)信號(hào)， 。 的相位相對(duì)于， Ｄ的位置有四種情況。

所以在（３）和（４）兩種情況中， 由檢測(cè)分辨率造成的測(cè)頻相對(duì)誤差為：其中０： ⅣＤ， ０是實(shí)際閘門時(shí)間。 誤差￡ 是兩個(gè)信號(hào)的相位差ｘ和實(shí)際閘門時(shí)間ｔ的函數(shù)。 由式（３—４）ｎＮ以看出， 實(shí)際閘門開啟和關(guān)閉時(shí)兩個(gè)信號(hào)的相位差越小、實(shí)際閘門時(shí)間越長(zhǎng)， 則測(cè)頻精度越高。 本文采用通用０． １跏ｍ ＣＭＯＳ工藝， 利用多個(gè)反相器級(jí)聯(lián)的方法產(chǎn)生０． ５６ｎｓ的延時(shí)時(shí)間， 即同步脈沖產(chǎn)生器的檢測(cè)分辨率６＝０． ５６ｎｓ。 式（３—４）中， 當(dāng)ｘ＝０． ５６ｎｓ、 Ｎｏ＝１０００時(shí)的測(cè)頻相對(duì)誤差為占＝０． ０１１２％。 由于實(shí)際電路需要滿足建立保持時(shí)間的要求， 只有當(dāng)（ｏ． ５６一ｘ）大于建立保持時(shí)間時(shí)，同步脈沖產(chǎn)生器才會(huì)產(chǎn)生有效的同步脈沖控制計(jì)數(shù)器開始和停止計(jì)數(shù)， 所以實(shí)際的測(cè)頻誤差會(huì)比理論計(jì)算出來的值更小。

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容值/容差：3300pF / 20%
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絕緣電阻@電壓：20%
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封裝尺寸：0.5*0.5*0.35 mm
性能特點(diǎn)：電容器ESL小，諧振頻率高;適合鍵合組裝方式，與半導(dǎo)體芯片相同的裝配工藝;容量高，相比單層陶瓷電容器體積更小，可提供良好的溫度特性;應(yīng)用GaAs、GaN芯片的外圍電路;電路濾波與靜噪；微組裝電路中的濾波與靜噪;其他需要小型化的微組裝領(lǐng)域，可替代部分單層電容。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電3300pF, 20%, 多層芯片電容（鍍金焊盤）

型號(hào)：C14-0303-100V-332
容值/容差：3300pF / 20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：20%
損耗@頻率：100V
封裝尺寸：0.8*0.8*0.5 mm
性能特點(diǎn)：電容器ESL小，諧振頻率高;適合鍵合組裝方式，與半導(dǎo)體芯片相同的裝配工藝;容量高，相比單層陶瓷電容器體積更小，可提供良好的溫度特性;應(yīng)用GaAs、GaN芯片的外圍電路;電路濾波與靜噪；微組裝電路中的濾波與靜噪;其他需要小型化的微組裝領(lǐng)域，可替代部分單層電容。

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