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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容中的超級電容器芯片制作方法，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答電容的制作方法簡介。

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超級電容器芯片的制作方法簡介①

本發(fā)明提供一種超級器芯片的制備方法、超級電容器芯片及超級電容器，其提供一具有導(dǎo)電線路的襯底；在所述襯底上形成兩個(gè)獨(dú)立設(shè)置的集流體，每個(gè)所述集流體電連接至襯底的導(dǎo)電線路之上；在其中一所述集流體上制備正電極，在另一所述集流體上制備負(fù)電極，并在正電極與負(fù)電極之間形成固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)膜，得到多層膜； 將所述多層膜用封裝膜進(jìn)行封裝保護(hù)，得到超級電容器芯片。利用上述方法制備得出的超級電容器芯片集成超級電容器后能夠滿足大電流或大電壓的使用需求。1 .一種超級電容器芯片的制備方法，其特征在于：其包括以下步驟：步驟S1，提供一具有導(dǎo)電線路的襯底；步驟S2，在所述襯底上形成兩個(gè)獨(dú)立設(shè)置的集流體，每個(gè)所述集流體電連接至襯底的導(dǎo)電線路之上；及步驟S3，在其中一所述集流體上制備正電極，在另一所述集流體上制備負(fù)電極，并在正電極與負(fù)電極之間形成固態(tài)/準(zhǔn)固態(tài)電解質(zhì)膜，得到多層膜；步驟S4，將所述多層膜用封裝膜進(jìn)行封裝保護(hù)，得到超級電容器芯片。2.如權(quán)利要求1中所述的超級電容器芯片的制備方法，其特征在于：步驟S1中所述襯底的材料包括絕緣材料，具體包括布料、海綿、紙基材料、PET、PI、mSiO 2 · nH2 O、聚氨酯中的任一種，所述襯底在使用前可進(jìn)行清洗處理。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電  100pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-15-50V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

型號：C12-15-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn)：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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