Https://www.RFeasy.cn

導(dǎo)讀：很多朋友不知道微波開關(guān)的研究與設(shè)計(jì)，如何選擇微波開關(guān)。射頻易商城RFeasy.cn為你解答微波開關(guān)的研究與設(shè)計(jì)

射頻易商城 RFeasy.cn 隸屬于電科益儲供應(yīng)鏈管理（成都）有限公司 旗下的國產(chǎn)化替代解決方案、專業(yè)射頻微波器材一站式商城。

# 射頻易商城 RFeasy.cn 微波開關(guān)庫存詳情

https://www.rfeasy.cncategory/switch/?filter_brands=lixin

微波開關(guān)芯片的研究與設(shè)計(jì)

1.5 微波開關(guān)相關(guān)進(jìn)展

微波開關(guān)電路最初由 PIN 二極管構(gòu)建， 雖然 PIN 二極管可以表現(xiàn)出低插損、高功率處理能力和高工作頻率 [11-13] ， 但是由于偏置電流的存在， 其直流功耗是一個(gè)嚴(yán)重的限制。 同時(shí)， 它必須要通過扼流電感供電， 由于襯底耦合效應(yīng)和電感形狀限制， 因此很難在襯底上實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的平面扼流電感， 從而很少有將 PIN 二極管開關(guān)和扼流電感集成在一起的單片微波集成電路（MMIC） 。 另外， PIN 二極管開關(guān)需要 λ/4 傳輸線枝節(jié)， 這使得設(shè)計(jì)更為復(fù)雜而且也難以小型化。GaAs MESFET 和 HEMT 適宜于高頻、 高速和高功率應(yīng)用。 GaAs 的寬帶隙使其具有高擊穿電壓， 從而使 GaAs 器件能夠承受高電壓而不用擔(dān)心可靠性的問題。此外， GaAs 具有高的低場遷移率， 這拓展了 GaAs 器件的可用帶寬。 GaAs MESFET和 HEMT 也使用了半絕緣性襯底， 從而進(jìn)一步降低了器件的損耗。 在實(shí)際應(yīng)用中，GaAs 開關(guān)所實(shí)現(xiàn)的性能被證明是非常卓越的 [14-19] 。 GaAs 開關(guān)通過改變柵控制電壓來改變工作狀態(tài)， 因此不會消耗直流功率， 這使其對于低功率手持式無線通信設(shè)備十分有吸引力， 但是一個(gè)遺憾是它們不能和硅基收發(fā)系統(tǒng)和 CMOS 數(shù)字控制電路實(shí)現(xiàn)集成。近年來， CMOS 開關(guān)得到了廣泛的關(guān)注和研究。 隨著 CMOS 工藝不斷進(jìn)步，其越來越適合微波應(yīng)用， CMOS 技術(shù)具有能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)字、 模擬和微波模塊全集成和低成本的優(yōu)點(diǎn)。 但是， 因?yàn)?CMOS 晶體管的擊穿電壓較低以及襯底的導(dǎo)電特性，以其實(shí)現(xiàn)低插損、 高隔離度和高功率處理能力的開關(guān)電路仍然是一大挑戰(zhàn)， 各個(gè)研究團(tuán)隊(duì)相繼提出不同的電路設(shè)計(jì)方法來彌補(bǔ) CMOS 工藝的缺點(diǎn)。Huang 和 O 通過減小襯底電阻減小襯底損耗， 在 900MHz 獲得了小于 1dB 的插損和 42dB 的隔離度， P 1dB 為 17dBm [20] 。 他們在此基礎(chǔ)上又通過阻抗變換實(shí)現(xiàn)高功率處理能力， 在 900MHz 將功率處理能力提高到 24.3dBm [21]。 Ohnakado 等人通過增加額外的工藝步驟以阻止阱注入而增大襯底電阻減小以襯底損耗。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電 DC to 20GHz, LXA4110 SPST開關(guān),射頻開關(guān)

頻率 : DC – 20 GHz
損耗: 1.0 dB
隔離度 : 50 dBm
控制電壓 : 控制電壓 ：0/+5 V

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電DC to 20GHz, LXA4211 SPDT開關(guān),射頻開關(guān)

頻率 : DC – 20 GHz
損耗: 1.6 dB
隔離度 : 50 dBm
控制電壓 : 控制電壓 ：0/+3.3 V

射頻易商城 官方自營、100%測試；
科研、院校等單位可申請5-100萬預(yù)授信（聯(lián)系客服）
射頻易商城（成都倉庫）發(fā)貨，并提供售后服務(wù)