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微波開(kāi)關(guān)芯片的研究與設(shè)計(jì)

2.2 隔離度

當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，接收端口變?yōu)楦綦x端口，此時(shí)希望信號(hào)能量盡可能少地傳輸到隔離端口。隔離度描述信號(hào)能量泄露的程度，泄露到電路負(fù)載的信號(hào)能量越大意味著隔離度越差，它也可被表示為來(lái)自源的的可用功率與負(fù)載損耗功率之比，仿真和測(cè)試時(shí)常用源與負(fù)載的正向傳播系數(shù)的幅度的平方的倒數(shù)描述。分析隔離度的串聯(lián)式開(kāi)關(guān)原理圖與等效模型如圖 2-3（a）和（b）所示，它主要通過(guò)關(guān)斷電容 C off 的高阻抗減小傳遞到負(fù)載的能量而實(shí)現(xiàn)高隔離度。
就插損而言，希望發(fā)射的能量能夠完全傳遞到負(fù)載，而對(duì)隔離度而言，則希望負(fù)載接收不到任何發(fā)射的能量。使負(fù)載盡可能少地接收能量的方法有兩種：信號(hào)能量在傳輸路徑上完全損耗和信號(hào)能量在輸入端完全反射，由此，開(kāi)關(guān)電路分吸收式結(jié)構(gòu)和反射式結(jié)構(gòu)。對(duì)于 SPST，只有發(fā)射和接收兩個(gè)端口，不用考慮其它端口的影響，所以吸收式和反射式結(jié)構(gòu)都可以被采用；對(duì)于 SPMT（M>1），端口之間相互影響，如果采用吸收式結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)隔離，那么發(fā)射的功率將在信號(hào)傳播路徑和隔離路徑同時(shí)消耗能量而嚴(yán)重惡化插損，因此只能選擇反射式結(jié)構(gòu)。
2.3 回波損耗
當(dāng)負(fù)載失配時(shí)，不是所有來(lái)自源的可用功率都傳給了負(fù)載，一部分能量被反射回源阻抗并被源阻抗吸收，因而回波損耗可以表示為來(lái)自源的的可用功率與反射功率之比。顯然，回波損耗只可能用于與信號(hào)傳輸路徑相關(guān)的端口。回波損耗描述了系統(tǒng)與負(fù)載的匹配程度，回波損耗越大表明阻抗匹配越好。電壓駐波比 VSWR 是失配的另一個(gè)量度。當(dāng)負(fù)載匹配時(shí)，傳播信號(hào)的電壓幅值為常數(shù)；當(dāng)負(fù)載失配時(shí)，反射波的存在會(huì)導(dǎo)致駐波，電壓幅值就不再是常數(shù)，

駐波比就是電壓幅值和最小幅值的比，即：VSWR 越小就意味著 V max和 V min 相對(duì)差別越小，電壓越“平坦” ，負(fù)載匹配越好。對(duì)于開(kāi)關(guān)芯片模塊，必須要保證能夠與外部電路模塊良好匹配來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)功率有效傳輸。

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